دسته بندی | پزشکی |
فرمت فایل | ppt |
حجم فایل | 978 کیلو بایت |
تعداد صفحات فایل | 36 |
نقص دیواره بین دهلیزی ASD
تعریف:
نقص دیوراه بین دهلیزی عبارتست از یک سوراخ در اندازه های مختلف در دیواره بین دهلیزی، که بازماندن سوراخ بیضی در این تعریف قرار نمی گیرد، که تحت عنوان pfo نسبت به آن آشناییم . (patent foramen ovale)، 1) این سوراخ با اولین تنفس نوزاد و باز شدن ریه ها و افت فشار در دهلیز راست ابتدا بصورت فانکشنال و پس از 3 ماهگی بصورت آناتومیک بسته می شود در 15 تا 30 درصد افرد بالغ سوراخ بیضی به اندازه یک پروب از آن عبور که باز است ولی این حالت از لحاظ دریچه ای کارآمد است. pfo به تنهایی نیازمند درمان جراحی نمی باشد گر چه ممکن است خطری برای آمیولیزاسیون سیستمیک معکوس (راست به چپ) باشد.
دیواره بندی دهلیزها از حدود روز سی ام با رشد دیواره اولیه به سمت پائین به سمت بالشتکهای آندوکاردی آغاز می شود سپس بالشتکهای آندوکاردی به هم چسبیده و همراه با دیواره اولیه کامل شده و کانال دهلیزی بطنی را به قسمتهای راست و چپ تقسیم می کند سوراخی در اینجا باقی می ماند که به آن سوراخ اولیه گفته می شود، منفذ دوم در قسمت خلفی دیواره اولیه ایجاد می شود که سوراخ ثانویه نامیده می شود. سوراخ ثانویه همراه با یک زبانه از دیواره اولیه سوراخ بیضی را می سازد که از راه آن خون جنینی از وریداجوف تحتانی به دهلیز چپ عبور می کند.
(اکثر موارد ASD اسپورادیک هستند ولی مواردی با توارث اتوزوم غالب نیز به عنوان جزئی از سندرم هولت، اورام ممکن است رخ دهد (سندرم هولت اورام نوعی بیماری همراه با هیپوپلازی یا عدم وجود استخوان رادیوس و بلوک قلبی درجه یک و همچنین ASDاست) فراوانی ASD در زنان نسبت به مردان 3 به 1 می باشد، در 5% بیماران ASD وریداجوف فوقانی در سمت چپ (LSVC) و در 4% آنها تنگی پولمونر (PS) وجود دارد.
تاریخچه:
شخصی به نام گیبون در سال 1953، جراحی قلب باز مدرن را با انجام یک عمل ترمیم ASD موفق بروی یک زن جوان پایه گذاری کرد، بعد از آن از اواخر دهه 1980، بستن ASD از راه پوست آغاز شد.
فایل پاورپوینت 36 اسلاید
دسته بندی | پزشکی |
فرمت فایل | ppt |
حجم فایل | 1686 کیلو بایت |
تعداد صفحات فایل | 53 |
نماتودهای فیلری Filarial Nematodes
نام بیماری: Filariasis, Filiariasis
مشخصات کلی فیلرها
8 گونه اصلی فیلرها برای انسان حائزاهمیت است
مورفولوژی
بیماریزایی وتظاهرات بالینی
فیلاریازیس مزمن یا انسدادی
مورفولوژی بروگیا مالایی
بروگیا تیموریBrugia timori
اونکوسرکا ولولوسOnchocerca volvulus
فایل پاورپوینت 53 اسلاید
دسته بندی | زمین شناسی |
فرمت فایل | doc |
حجم فایل | 39 کیلو بایت |
تعداد صفحات فایل | 29 |
رسوب دهی لایه های نازک سخت ویا نرم
مقدمه
مورفولوژی یک پوشش بطور عمده به فناوری بکار گرفته شده بستگی دارد. بطور کلی روشهایی که در آن پوشش از فاز بخار رسوب داده میشوند. را میتوان دو گروه اصلی تقسیم کرد روش رسوب شیمیایی بخار CVD و روش رسوب فیزیکی PVD بعلاوه از روشهایی به نام روشهای کمکی یا تحریک شده نیز استفاده میشود. بعنوان مثال روش کمکی پلاسمای رسوب شیمیایی بخار PA-CVD یا فرآیندهای دما توسط مانند روش دما متوسط CVD که با MT-CVD نمایش داده میشود نیز گسترش پیدا کرده است. همانطور که در شکل 5.1 نشان داده شده است بعنوان مثال به روشهای فوق مواردی مثل پرایدهای نسوز، کارمیدها، نیتریدها ،اکسیدها وترکیب های مختلفی از این گونه پوششها را میتوان رسوب داد.
5.2 روشهای رسوب شیمیایی بخار
5.2.1 طبقه بندی فناوریهای CVD
در روش رسوب شیمیایی بخار واکنش کننده ها بصورت گاز تامین شده و واکنشهای شیمیایی در اثر گرما در سطح زیر لایه گرم شده انجام میشوند. در روشهای CVD معمولا فرآیند در درجه ر600 تا 1100 درجه سانتیگراد انجام میشود هزینه فرآیندهایی که در درجه وارستای پایین تر نیز کار می کنند بکار گرفته شده است. در جدول 5.1 میتوان روشهایی از CVD که بیشتر در صنعت ارز برش بکار می رود را ملاحظه کرد.
In به شکل سنتی خود فناوری CVD بدون فرآیندهای کمکی در فشار محیط مثل پوشش دهی در فشار محیط APCVD ,CVD یا در فشار پایین مثل پوشش دهی به فشار کم CVD استفاده میشود. از فناوری APCVD که به پوشش دهی با دمای بالای (HT-CVD) CVD نیز معروف است بعنوان پرمصرف ترین روش پوشش میتوان نام برد.
در روش کلاسیک پوشش دهی CVD که از سال 1969 در صنعت بکارگرفته شد از در یک لحظه ای حفاظت شده از اتمسفر محیط،تحت گاز هیدروژن فشار 1 اتمسفر یا کمتر تا 1000C گرم میشود. همچنین ترکیبات تبخیر شدنی به اتمسفر هیدروژن اضافه میشوند. تا بتوان ترکیبات فلی وغیرفلزی را رسوب داد. یک جنبه مشترک تمام فناوریهای CVD افزودن عنصر مورد نظر در پوشش به شکل یک هالوژن مثل Tic4 در ورد لایه های Ti(cN) یا TiN ,Tic یا مخلوطی از هالوژنها مثل Ticl4 +Bcl3 در مورد لبه های TiB2 میتوان نام برد.
5.2.2 روش تحت فشار اتمسفر رسوب شیمیایی بخار (APCVD)
وسایل بکار گرفته شده برای رسوب دهی لایه TiN به روش CVD در شکل 5.2 ارائه شده است در این روش یک محفظه واکنش گرم شده و وسایل انتقال گاز مورد نیاز است. در بیشتر موارد زیر لایه به روش هرفت یا تشعشعی ازداخل محفظه پوشش دهی گرم میشود. فرآیند با تغییر دادن درجه حرارت قطعات تحت پوشش ترکیب شیمیایی و فشار گانه ها کنترل میشود. همانطور که قبلا اشاره شد واکنشهای هالیه فلزات مثلا با هیدروژن ،نیتروژن یا متان. بکار گرفته میشود تا بتوان پوششهایی مثل انواع نیترید ها یا کاربیدهای فلزات را ایجاد کرد.
بعنوان مثال واکنشهای ذیل برای ایجاد پوششهای به ترتیب نیترید نتیتانیوم وکاربید تیتانیوم بکار گرفته میشود:
لایه اکسید آمونیومو را میتوان با واکنش ذیل ایجاد کرد.
With با مخلوطهایی از هالیه فلزات، هیدروژن ،اکسیژن، نیتروژن ،هیدروکربنها و ترکیبات بر، پوششهای مختلفی از نیترید، کاربید و براید فلزات را میتوان به روش CVD ایجاد کرد. در حال حاضر متداولترین پوشش های ایجاد شده به روش هستند (شکل 5.3) لایه های ایجاد شده به روش CVD ساختار میکروسکوپی ستونی دارند هر چند رسوبات اولیه گاهی به شکل هم محور هستند.
بطور خاص اندازه دانه وساختار میکروسکوپی اولیه به شدت به شرایط اعمال شده در فرآیند بستگی دارد.